-
Ukuran WaferA63.7190-68: 6/8 inci
-
Resolusi2.5nm (Acc=800V)
-
Tegangan percepatan0.5-1.6KV
-
Kemungkinan diulangStatik & Dinamis ± 1% atau 3nm ((3 Sigma)
-
Probe Balok Arus3 ~ 30Pa
-
Rentang pengukuranFOV 0.1 ~ 2.0μm
-
Tempat asalCina
-
Nama merekCNOEC, OPTO-EDU
-
SertifikasiCE, Rohs
-
Nomor modelA63.7190
-
Dokumen
-
Kuantitas min Order1 PC
-
HargaFOB $1~1000, Depend on Order Quantity
-
Kemasan rincianKemasan Karton, Untuk Transportasi Ekspor
-
Waktu pengiriman5 ~ 20 Hari
-
Syarat-syarat pembayaranT/T, Serikat Barat, Paypal
-
Menyediakan kemampuan5000 buah/Bulan
OPTO-EDU A63.7190 300000x Mikroskop Elektron Scan Dimensi Kritis
|
A Mikroskop Elektron Pemindaian Dimensi Kritis (CD-SEM) adalah SEM khusus yang digunakan untuk mengukur dimensi fitur kecil pada wafer semikonduktor, topeng foto, dan bahan lainnya. Pengukuran ini sangat penting untuk memastikan keakuratan dan presisi perangkat elektronik yang diproduksi.
◉ Kompatibel dengan Ukuran Wafer 6/8 Inci, Perbesaran 1000x-300000x ◉ Resolusi 2.5nm (Acc=800V), Tegangan Percepatan 500V--1600V ◉ Pengulangan Statis & Dinamis ±1% atau 3nm(3 Sigma), Arus Sinar Probe 3~30pA ◉ Desain Sistem Transfer Wafer Kecepatan Tinggi Cocok Untuk Chip Semikonduktor Generasi ke-3 ◉ Sistem Optik Elektronik Canggih Dan Pemrosesan Gambar, Termasuk Chiller, Pompa Kering |
|
▶ Fitur Utama CD-SEM menggunakan berkas elektron berenergi rendah dan memiliki kalibrasi perbesaran yang ditingkatkan untuk memastikan pengukuran yang akurat dan berulang. Mereka dirancang untuk mengukur fitur seperti lebar, tinggi, dan sudut dinding samping pola. |
|
▶ Tujuan CD-SEM sangat penting untuk metrologi dalam industri semikonduktor, membantu mengukur dimensi kritis (CD) dari pola yang dibuat selama proses litografi dan etsa. CD mengacu pada ukuran fitur terkecil yang dapat diproduksi dan diukur secara andal pada wafer. |
|
▶ Aplikasi Instrumen ini digunakan dalam lini manufaktur perangkat elektronik untuk memastikan keakuratan dimensi dari berbagai lapisan dan fitur yang membentuk sebuah chip. Mereka juga memainkan peran penting dalam pengembangan dan pengendalian proses, membantu mengidentifikasi dan memperbaiki masalah apa pun yang mungkin timbul selama proses manufaktur.
▶ Pentingnya Tanpa CD-SEM, mikroelektronik modern akan kesulitan untuk mencapai tingkat presisi dan kinerja tinggi yang dituntut oleh industri. Mereka sangat diperlukan untuk memastikan keandalan dan fungsionalitas perangkat elektronik modern. |
|
▶ Pergeseran Teknologi Karena teknik litografi berkembang dan ukuran fitur terus menyusut, CD-SEM terus berkembang untuk memenuhi tuntutan industri. Teknologi baru dan kemajuan dalam CD-SEM sedang dikembangkan untuk mengatasi tantangan pengukuran pola yang semakin kompleks |
| Mikroskop Elektron Pemindaian Dimensi Kritis (CDSEM) A63.7190 | ||
| Ukuran Wafer | A63.7190-68: 6/8 Inci | A63.7190-12: 12 Inci |
| Resolusi | 2.5nm (Acc=800V) | 1.8nm (Acc-800V) |
| Tegangan Percepatan | 0.5-1.6KV | 0.3-2.0KV |
| Pengulangan | Statis & Dinamis ±1% atau 3nm(3 Sigma) | Statis & Dinamis ±1% atau 0.3nm(3 Sigma) |
| Arus Sinar Probe | 3~30pA | 3~40pA |
| Rentang Pengukuran | FOV 0.1~2.0μm | FOV 0.05~2.0μm |
| Throughput | >20 Wafer/Jam, | >36 Wafer/Jam, |
| 1 Titik/Chip, | 1 Titik/Chip, | |
| 20 Chip/Wafer | 20 Chip/Wafer | |
| Perbesaran | 1Kx~300Kx | 1Kx-500Kx |
| Akurasi Panggung | 0.5μm | |
| Sumber Elektron | Emitor Medan Termal Schottky | |
| Perbandingan Model CDSEM Utama di Pasaran | |||||
| Spesifikasi | Hitachi | Hitachi | Hitachi | Opto-Edu | Opto-Edu |
| S8840 | S9380 | S9380 II | A63.7190-68 | A63.7190-12 | |
| 1. Ukuran Wafer | 6 inci/8 inci | 8 inci/12 inci | 8 inci/12 inci | 6 inci/8 inci | 12 inci |
| 2. Resolusi | 5nm (Acc=800V) | 2nm (Acc=800V) | 2nm (Acc=800V) | 2.5nm (Acc=800V) | 1.8nm (Acc=800V) |
| 3. Tegangan Percepatan | 500-1300V | 300-1600V | 300-1600V | 500-1600V | 300-2000V |
| 4. Pengulangan (statis dan dinamis) | ±1% atau 5nm(3 sigma) | ±1% atau 2nm(3 sigma) | ±1% atau 2nm(3 sigma) | ±1% atau 3nm(3 sigma) | ±1% atau 0.3nm(3 sigma) |
| 5. Rentang Ip (Arus probe) | 1-16pA | 3-50pA | 3-50pA | 3-30pA | 3-40pA |
| 6. Ukuran FOV | - | 50nm-2um | 0.05-2um | 0.1-2um | 0.05-2um |
| 7. Throughput | 26 wafer/jam, | 24 wafer/jam, | 24 wafer/jam, | >20wafer/jam, | 36 wafer/jam, |
| 1titik/chip, | 1titik/chip, | 1titik/chip, | 1titik/chip, | 1titik/chip, | |
| 5chip/wafer | 20chip/wafer | 20chip/wafer | 20chip/wafer | 20chip/wafer | |
Produk kami dijual di seluruh dunia. Anda dapat yakin dengan seluruh proses produk kami.